RN1965FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Sin plomo / Cumple con RoHS
Productos semiconductores discretos
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100	$0.209
250	$0.131
500	$0.112
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Especificaciones
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Tensión - Colector-emisor (máx):	50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:	ES6
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	2.2k
Potencia - Max:	100mW
embalaje:	Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:	SOT-563, SOT-666
Tipo de montaje:	Surface Mount
Frecuencia - Transición:	250MHz
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA

Si se equivocó, compnentes, lo que no está ordenado. Investigaremos quién asumirá la responsabilidad del tema.

Si es nuestro, entregaremos los compnentes correctos para los bienes de intercambio después de que recibamos los compnentes incorrectos que envían de vuelta.

Si es suyo, el cliente se responsabilizará. Para los detalles, comuníquese con nuestro servicio al cliente o ventas.

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