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IMB10AT110

IMB10AT110
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Proceso de compras

Tensión - Colector-emisor (máx):50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:SMT6
Serie:-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):47k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):2.2k
Potencia - Max:300mW
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:SC-74, SOT-457
Tipo de montaje:Surface Mount
Frecuencia - Transición:250MHz
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:80 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):500nA
Corriente - colector (Ic) (Max):100mA

Si se equivocó, compnentes, lo que no está ordenado. Investigaremos quién asumirá la responsabilidad del tema.
Si es nuestro, entregaremos los compnentes correctos para los bienes de intercambio después de que recibamos los compnentes incorrectos que envían de vuelta.
Si es suyo, el cliente se responsabilizará. Para los detalles, comuníquese con nuestro servicio al cliente o ventas.