GB02SHT06-46

GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 600V 4A
Sin plomo / Cumple con RoHS
Productos semiconductores discretos
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10	$49.711
25	$45.975
100	$43.102

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Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:	1.6V @ 1A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):	600V
Paquete del dispositivo:	TO-46
Velocidad:	No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie:	-
Tiempo de recuperación inversa (trr):	0ns
embalaje:	Bulk
Paquete / Cubierta:	TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
Temperatura de funcionamiento - Junction:	-55°C ~ 225°C
Tipo de montaje:	Through Hole
Tipo de diodo:	Silicon Carbide Schottky
Corriente - Fuga inversa a Vr:	5µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io):	4A (DC)
Capacitancia Vr, F:	76pF @ 1V, 1MHz

Si se equivocó, compnentes, lo que no está ordenado. Investigaremos quién asumirá la responsabilidad del tema.

Si es nuestro, entregaremos los compnentes correctos para los bienes de intercambio después de que recibamos los compnentes incorrectos que envían de vuelta.

Si es suyo, el cliente se responsabilizará. Para los detalles, comuníquese con nuestro servicio al cliente o ventas.