CSD23202W10

N/A
MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
Sin plomo / Cumple con RoHS
Productos semiconductores discretos

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VGS (th) (Max) @Id:	900mV @ 250µA
Vgs (Max):	-6V
Tecnología:	MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:	4-DSBGA (1x1)
Serie:	NexFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:	53 mOhm @ 500mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo):	1W (Ta)
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	4-UFBGA, DSBGA
Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:	Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:	512pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:	3.8nC @ 4.5V
Tipo FET:	P-Channel
Característica de FET:	-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):	1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:	12V
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:	2.2A (Ta)

Si se equivocó, compnentes, lo que no está ordenado. Investigaremos quién asumirá la responsabilidad del tema.

Si es nuestro, entregaremos los compnentes correctos para los bienes de intercambio después de que recibamos los compnentes incorrectos que envían de vuelta.

Si es suyo, el cliente se responsabilizará. Para los detalles, comuníquese con nuestro servicio al cliente o ventas.

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