¡El mercado de almacenamiento de servidores Intel es otro truco! ¿Cómo responderán Samsung y SK Hynix?

  Según ETnews, Intel ha entrado en el mercado de la memoria del servidor y ha introducido una nueva generación de memoria Intel Optane H10 que combina las ventajas de DRAM y NAND Flash.

Se prevé que esta nueva memoria pueda crear un nuevo ecosistema de memoria, Intel casi monopoliza la CPU del servidor, lo que es propicio para la promoción de H10 en el servidor. En respuesta a los nuevos productos de Intel, los gigantes de la memoria Samsung Electronics y SK Hynix dijeron que lanzarán productos similares. Una parte es la Intel que monopoliza la CPU del servidor y la otra es el gigante que monopoliza la memoria. Se puede decir que una guerra de monopolio y monopolio está al borde.

La reacción de Samsung Electronics y SK Hynix ya ha demostrado lo bueno que es el H10. El 26 de abril, Intel presentó este producto estratégico en la nueva exhibición de productos de centros de datos celebrada en Corea. El producto combina la capacidad de almacenamiento de la tecnología Intel Optane y la tecnología Intel Quad Level Cell (QLC) 3D NAND en un solo módulo M.2.

Aunque el producto se parece a DRAM, su funcionalidad es completamente diferente a la de DRAM. Aunque su velocidad de procesamiento de información es más lenta que la DRAM, puede registrar información como un NAND Flash en caso de un corte de energía. Es el primer producto basado en las ventajas de DRAM y NAND Flash.

Un portavoz de Intel señaló que aunque el H10 es más lento que la DRAM, su precio es más competitivo y puede almacenar la información necesaria incluso después de un corte de energía.

Además, la tecnología 3D XPoint de Intel y Micron, desarrollada a lo largo de los años, puede aumentar la velocidad de NAND Flash en un factor de 1.000 y prolongar su vida útil. Esta tecnología hace que el H10 sea más adecuado para su uso en el servidor.

Los expertos de la industria llaman a H10 de Intel el dispositivo de almacenamiento de próxima generación "PRAM". Aunque Intel dijo que nunca ha definido "Optane DC Persistent Memory" como un producto de PRAM, tal declaración no se emitirá en el futuro. Sin embargo, este producto está en línea con las características de PRAM, en un aspecto, combina las ventajas de DRAM y NAND Flash.

Los expertos creen que con el predominio de la adquisición de Intel del mercado de memoria de próxima generación, la llegada del producto ha sacudido el panorama del mercado de memoria. La industria cree que si Intel, que ocupa el 95% de la cuota de mercado de la CPU del servidor, continúa presentando productos de almacenamiento Optane que hacen hincapié en la compatibilidad, el mercado de la memoria será reorganizado.

Los expertos del sector destacaron que si Intel continúa presentando CPU que solo son compatibles con la memoria Optane, Intel podrá ponerse al día rápidamente con Samsung Electronics y SK Hynix en el mercado de almacenamiento. De hecho, Intel mencionó la compatibilidad entre el H10 y las 50 CPU de servidor de segunda generación lanzadas a principios de este mes.

En el caso de la agudización de Intel del mercado de almacenamiento, se informa que Samsung Electronics y SK Hynix también están haciendo los preparativos necesarios. Debido a la influencia de Intel, Samsung Electronics ha comenzado a aumentar el número de desarrolladores de productos de RRAM. Un portavoz de SK Hynix también dijo que los productos de PRAM se están desarrollando y se lanzarán cuando el mercado relevante esté abierto.