RN4609(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6
Sin plomo / Cumple con RoHS
Productos semiconductores discretos
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Tensión - Colector-emisor (máx):	50V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic:	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo de transistor:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Paquete del dispositivo:	SM6
Serie:	-
Resistencia - Emisor Base (R2) (Ohms):	22k
Resistencia - Base (R1) (Ohms):	47k
Potencia - Max:	300mW
embalaje:	Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:	SC-74, SOT-457
Tipo de montaje:	Surface Mount
Frecuencia - Transición:	200MHz
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce:	70 @ 10mA, 5V
Corriente - corte del colector (Max):	100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max):	100mA

Si se equivocó, compnentes, lo que no está ordenado. Investigaremos quién asumirá la responsabilidad del tema.

Si es nuestro, entregaremos los compnentes correctos para los bienes de intercambio después de que recibamos los compnentes incorrectos que envían de vuelta.

Si es suyo, el cliente se responsabilizará. Para los detalles, comuníquese con nuestro servicio al cliente o ventas.

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